儀器名稱：磁控濺射系統
儀器型号：PRO Line PVD75
儀器産家：美國/Kurt J. Lesker Company
主要應用：用于各種功能性薄膜的制備，通過高速、高質量的大面積鍍膜，制備具有熱電、壓電、鐵電、磁性、半導體、光學、超硬、自潤滑等屬性的功能薄膜，以深入開展半導體器件、太陽能電池、微波、射頻、發光等方向的研究，促進能源和電子領域新材料的研究和應用。
性能指标：
1. 樣品規格：最大直徑為6英寸(150 mm)的基底，一次一片。
2. 設備極限真空：5×10-7 Torr。配有4個3英寸靶槍，其中1個為強磁靶。
3. 濺射電源：1個1000 W直流電源，2個300 W射頻電源。基片可以原位旋轉，轉速0~20 RPM可調。
4. 電路規格：380 VAC/三相/50 Hz，需接地。氣路規格：Swagelok接頭。水路規格：NPT接頭。
5. 淨重：1941 磅（880 kg）。
樣品要求：
樣品直徑不超過6英寸，且不易揮發和無毒。
注意事項和日常維護：
1. 注意房間溫度和濕度
2. 檢查靶腔外壁是否有冷凝水，如果有冷凝水需要擦幹才能打開電源。（注意夏天開冷水機一定要開空調）
3. 冷卻循環水每隔半年檢查一次，注意防止水質變質而影響冷水機的壽命，最好一年換一次水。
4. 及時清理設備表面灰塵。
5. 确保真空氣路的正常狀态。
6. 主真空室内層被錫箔紙包裹，平時每隔一段時間更換一次錫箔紙。
7. 安裝靶材時注意防止主真空室污染，用照明燈時不要讓電子設備靠近，以防止電子設備磁化。
儀器說明：
由真空工藝腔室、泵抽系統、真空測量系統、樣品台、進樣室模塊、氣路控制系統、軟件控制系統及系統框架等組成。物理氣相沉積在真空條件下，采用物理方法将材料源氣化成氣态原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）的過程，在矽片等半導體器件基體表面沉積成薄膜。本設備使用機械泵與分子泵對真空腔室抽氣，極限真空度可達5×10-7 Torr，真空度用全量程真空計測量。可由軟件控制鍍膜所需達到的工藝真空度，向真空腔内沖入工作氣體（多為氩氣），可由軟件控制充氣的流量以及鍍膜時的工作氣壓；為靶槍通電，産生電子，電子在運動過程中與工作氣體碰撞産生濺射所需的離子，離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出靶材原子，靶材原子沉積在基片上形成薄膜。整個過程中，為靶槍所加載的功率在一定範圍内連續可調，可用軟件控制靶槍功率來控制靶材原子的沉積速率。