儀器名稱：三溫區高溫管式爐
儀器型号：BTF-1200C-III
儀器廠家：安徽貝意克
主要應用：廣泛應用于新能源材料，金屬材料，磁性材料，半導體材料，陶瓷材料，電化學，薄膜材料，CVD，MOCVD，PECVD，UPECVD，JPECVD，石墨烯的合成。
性能指标：
1. 真空管式爐：額定功率：5 kW
額定電壓：AC220~240 V 50 Hz
最高溫度：1200 ℃
額定溫度：1100 ℃
加熱區長度：300+300+300 mm（3點控溫）
升溫速率：≤20 ℃/min
爐管尺寸：Φ100×14000 mm(可選)
外型尺寸（長×寬×高）：1030×430×580 mm
重量：80 kg
2. 供氣系統GMF-3Z（質子流量計）：
外形尺寸：600×600×650 mm
連接頭類型：雙卡套不鏽鋼接頭。
标準量程（N2)：100、200、500 sccm；（可根據用戶要求定制）
準确度：±1.5% F.S.
線性：±0.5～1.5% F.S.
重複精度：±0.2% F.S.
響應時間：氣特性：1～3 s，電特性：10 s
工作壓差範圍：0.1～0.5 MPa
最大壓力：3 MPa
接口：Φ6,1/3''
顯示：4位數字顯示
工作環境溫度：5~45高純氣體
内外雙抛不鏽鋼管：Φ6
壓力真空表：－0.1～0.15 MPa，0.01 MPa/格
截止閥：Φ6
3. 低真空機組VAU-02型号：VRD-8
抽速：8 m³/h
極限真空度：5×10-1 Pa
電源：220 V 50 Hz
電機功率：0.4 kW
進排氣連接口：KF25
用油量：0.6~1 L
電機轉速：1440 rpm
工作環境溫度：5~40 ℃
樣品要求：固體材料
注意事項：
1. 使用前請先放入絕熱塞子，絕熱塞子的位置可根據實際情況向外拉出，但兩邊塞子位置一定要對稱。
2. 降溫時請利用程序降溫，不建議直接按“stop”鍵降溫，設備溫度在500 ℃以上時不要直接關閉設備電源。
3.高溫爐爐管不建議正壓使用，如果要使用正壓壓強絕不允許超過0.02 Mpa。
儀器說明：
這款配置的低真空CVD系統集1200 ℃開啟式真空管式爐，多通道氣路系統和真空系統組成，有三個溫區，可預抽真空（有高真空、低真空），通多種氣氛（供氣系統有質子流量器和浮子流量控制器）。真空泵可選用進口設備，性能可靠。控制電路選用模糊PID程控技術，具有控溫精度高，溫沖幅度小，性能可靠，簡單易操作等特點。CVD生長系統适用于CVD工藝，如碳化矽鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。可通氣氛抽真空，其開啟式結構使得拆裝爐管方便，操作簡捷，使用者可直接将密封腔體移出爐體，加快降溫過程。爐管工件橫穿與8組進口電阻絲的爐膛，溫場均勻，内外溫差可控制在3 ℃左右，氣動彈簧支撐結構讓操作者可各角度安全開啟。