儀器名稱：PE-CVD系統
儀器型号：BTF-1200C-II-PECVD
儀器産家：貝意克(BEQ, 安徽合肥)
主要應用：
薄膜制備設備，适合于半導體、集成電路、光電科學、電子信息、納米技術等領域研究，可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。
性能指标：
1、PECVD是前段預熱雙溫區滑軌結構，集真空系統、供氣流量系統、射頻源、自動推進、加熱于一體，并将所有控制集成于觸屏操控界面之中。
2、PECVD電源範圍：0~500 W可調，溫度範圍：100~1200 ℃可調，濺射區域長度：2000 mm。
3、适用範圍：金屬薄膜，陶瓷薄膜等，複合薄膜，連續生長各種薄膜等。
4、雙溫區滑軌爐：帶有預熱爐，最高溫度為1100 ℃；
5、等離子射頻發生器：輸出功率5~500 W可調；射頻電源頻率13.56 MHz；冷卻方式為空氣冷卻；輸入電源：208~240 VAC，50/60 Hz；
樣品要求：
粉末樣品、薄膜樣品等
儀器說明：
PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)産生輝光放電，利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度，然後通入适量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固态薄膜。
1、加熱爐适用的工作條件包括：環境溫度：10～75 ℃，周圍環境相對濕度不超過85%；爐子周圍沒有導電塵埃、爆炸性氣體及腐蝕性氣體；沒有明顯的傾斜﹑振動和颠簸。
2、爐子長時間不用後，先要120 ℃烘烤1 h，再300 ℃烘烤2 h後使用，以免造成爐膛開裂。爐溫盡量不要超過額定溫度，以免損壞加熱元件及爐襯。禁止向爐膛内直接灌注各種液體及溶解金屬，保持爐内的清潔。
3、爐膛若采用石英管，當溫度高于1000 ℃時，石英管的高溫部分會出現不透明現象，是連熔石英管的固有缺陷,屬正常現象。
4、冷爐使用時，低溫段升溫速率不易過快，各溫度段的升溫速率差别不易太大，設置升溫速率時應充分考慮所燒結材料的物理化學性質，以免出現噴料現象，污染爐管。
5、定期檢查溫度控制系統的電器連接部分的接觸是否良好，應特别注意加熱元件的各連接點的連接是否緊固。