儀器名稱：脈沖激光沉積系統
儀器型号：BWI PLD
儀器産家：Blue Wave Semiconductor, Inc
主要應用：主要用于生長外延薄膜、多層異質結氧化物、氮化物以及單層和雙層石墨烯。
性能指标：
1. 脈沖激光沉積腔體尺寸：直徑小于12 inch，配有高精度氣體漏閥及真空計，腔體真空漏率：≤1×10-9 mbar-L/sec He；腔體真空度（未烘烤）：≤5x10-7 Torr。同時配套有石墨烯專用化學氣相沉積腔室。
2.脈沖激光沉積靶材數量：可至少同時放置6個1 inch，或至少3個2 inch靶材，采用卡座固定靶材；靶位可連續轉動，轉速為：10 rpm。
3.脈沖激光沉積樣品台尺寸：直徑2.2 inch，最高加熱溫度：850 ℃(1 bar O2或NH3反應性氣氛下)。石墨烯沉積腔樣品台尺寸1cm2，樣品台最高加熱溫度：1000 ℃；控溫精度：±1 ℃。
4.激光器發光介質：KrF；激光波長：248 nm；單脈沖能量：400 mJ；最大脈沖頻率：20 Hz；脈沖寬度：20 ns。
樣品要求：
靶材為圓片狀，厚度範圍1/8 inch至1/4 inch，靶材應當提前燒結成瓷以保證靶材的質密性。
注意事項：
1、使用脈沖激光器時需佩戴專用防護眼鏡
2、不得在易燃易爆氣體，如氧氣、甲烷、氫氣瓶周圍出現明火或使用高溫設備
3、更換激光器KrF氣瓶時需佩戴防毒面具，并在通風狀态下進行（換氣過程需設備管理人操作）
4、使用脈沖激光沉積設備過程中需要值守，随時觀測設備狀态，不得擅自離崗
儀器說明：
脈沖激光沉積（PLD）是一種利用激光對物體進行轟擊，然後将轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上，得到沉澱或者薄膜的一種手段。被廣泛用于高溫超導薄膜,各種氮化物與碳化物薄膜,複雜的多元氧化物薄膜以及納米材料薄膜,多層結構和梯度結構薄膜的制備。在此基礎上，BWI PLD配套有石墨烯專用化學氣相沉積腔室，能夠同時實現單層和雙層石墨烯的制備。